二维（2D）过渡金属二硫族化合物（TMDs）由于其原子薄的结构和没有悬空键的表面，导致其在下一代电子产品中极具前景。然而，与TMDs建立高质量的金属接触是一个关键挑战，主要归因于它们的超薄结构和精细晶格。当涉及“高能”工艺的传统金属化方法时，这些独特特性使它们容易受到物理损伤和化学反应的影响。为了应对这一挑战，范德华（vdW）接触被提出作为一种“低能耗”的替代方案。近日，湖南大学Liu Yuan、Wang Yiliu综述研究了2D过渡金属二硫族化合物的范德华接触。

本文要点：

1) 在vdW结构中，金属接触可以通过物理层压/沉积在TMDs的2D结构上，确保形成原子和电子级的接触界面，同时保持2D TMDs的固有特性。因此，大量的vdW接触具有优异的物理传输性质或优异的器件性能。

2) 作者介绍了TMD晶体管中vdW接触的最新进展，并讨论了与每种器件几何形状相关的优点、局限性和前景。该综述旨在全面了解当前的研究形势，并对未来的研究方向提供见解。

参考文献：

Likuan Ma et.al van der Waals Contact for Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides Chem. Rev. 2024

DOI: 10.1021/acs.chemrev.3c00697

https://doi.org/10.1021/acs.chemrev.3c00697