无掩模多光子光刻能够以比传统光刻更低的成本和更容易获得的方式制造任意纳米结构。多光子光刻的一个主要挑战是由于不可避免的光学衍射屏障和邻近效应而实现超高精度和理想的横向分辨率。鉴于此，来自浙江大学的刘旭、匡翠方教授等人研究出了一种方案，即光和物质共约束多光子光刻，通过结合光抑制和化学猝灭剂来克服这些问题。

文章要点：

1) 该研究发现了光与物质共约束多光子光刻的猝灭机制和光抑制机制，并且，数学建模有助于更好地理解猝灭剂和光抑制的协同作用可以获得最窄的自由基分布；

2) 此外，该研究表明，通过使用光和物质共约束多光子光刻，可以获得30 nm临界尺寸和100 nm横向分辨率，这进一步减小了与传统光刻的间隙。

参考资料：

Guan, L., Cao, C., Liu, X. et al. Light and matter co-confined multi-photon lithography. Nat. Commun. (2024).

10.1038/s41467-024-46743-5

https://doi.org/10.1038/s41467-024-46743-5