拓扑缺陷是有序相中的奇点，它可以对相变产生深远影响，并作为了解有序参数的窗口。拓扑缺陷的例子包括电荷密度波中的位错和超导体或对密度波的旋涡，其中后者是具有有限动量的库珀对的凝聚体。鉴于此，来自伊利诺伊大学的Vidya Madhavan研究了拓扑缺陷在重费米子超导体UTe₂中磁场诱导的电荷密度波消失中的作用。

文章要点：

1) 该研究发现了正负相绕组的电荷密度波的拓扑缺陷对，这些对与电荷密度波振幅中的零直接相关，并且数量随着磁场的增加而增加，同时，磁场产生超导和对密度波阶的涡流，这些涡流可以在电荷密度波中产生拓扑缺陷，并在上临界场诱导实验观察到的该电荷阶的熔化；

2) 此外，该研究表明，磁场产生的拓扑缺陷在UTe₂中电荷密度波阶参数熔化中发挥着重要作用，并为表面上存在对密度波阶提供了理论依据。

参考资料：

Aishwarya, A., May-Mann, J., Almoalem, A. et al. Melting of the charge density wave by generation of pairs of topological defects in UTe2. Nat. Phys.  (2024).

DOI：10.1038/s41567-024-02429-9

https://doi.org/10.1038/s41567-024-02429-9