Nano Lett:相和缺陷工程化MoSe2纳米片用于增强近红外二区光热免疫治疗
柚子 柚子 2024-07-02

光热治疗(PTT)过程诱导的免疫原性细胞死亡(ICD)可以有效触发光热免疫治疗(PTI)。然而,单纯PTT诱导的ICD往往会受到PTT效率不足、肿瘤细胞免疫原性低以及氧化还原微环境失调等因素的限制。有鉴于此,南京邮电大学汪联辉教授、罗志敏教授、香港大学谭超良教授和国家纳米中心拱越研究员通过对MoSe2进行相和缺陷工程,开发了具有高金属1T相以及丰富的活性Mo中心的MoSe2纳米片,并证明了其能够作为一种有效的PTI纳米制剂。

 

本文要点:

(1)研究发现,MoSe2纳米片中的金属1T相使其具有较强的PTT性能,大量暴露的活性Mo中心则使其具有较高的谷胱甘肽(GSH)消耗活性。

(2)实验结果表明,MoSe2介导的高效PTT能够与有效的GSH消耗相协同以促进肿瘤相关抗原的释放,从而诱导产生强大的ICD,显著增强检查点阻断免疫治疗,并且可以在结直肠癌和转移性三阴性乳腺癌小鼠模型中激活全身免疫应答。

Zhusheng Huang. et al. Phase and Defect Engineering of MoSe2 Nanosheets for Enhanced NIR-II Photothermal Immunotherapy. Nano Letters. 2024

DOI: 10.1021/acs.nanolett.4c01879

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c01879


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