下一代电子设备对于具有可变形形状因子的高效和高清显示器的需求十分关键，尽管量子点（QD）具有独特的优势，包括高光致发光量子产率、宽色范围和高色纯度，但开发用于高清像素和高效QD发光二极管（QLED）的QD图案化工艺仍处于早期阶段。近日，来自蔚山国立科学技术研究所（UNIST）的Moon Kee Choi，Jiwoong Yang和首尔国立大学的Taeghwan Hyeon等人通过QD/ZnO薄膜的超高清双层转印来展示高效的QLED。

文章要点：

1) 该研究发现，粘弹性印章的表面工程实现了双层转印，可以创建每英寸2565像素的RGB像素化图案和每英寸20526像素的单色QD图案，且通过双层转移印刷将量子点和ZnO纳米粒子紧密堆积，大大减少了漏电流，将器件的外部量子效率提高到23.3%；

2) 此外，该研究还展示了通过这一技术制造的高效可穿戴QLED，这项研究为通过转印技术开发高效、全彩QD显示器奠定了基础，展示了下一代显示技术的巨大前景。

参考资料：

Yoo, J., Lee, K., Yang, U.J. et al. Highly efficient printed quantum dot light-emitting diodes through ultrahigh-definition double-layer transfer printing. Nat. Photon. (2024).

10.1038/s41566-024-01496-x

https://doi.org/10.1038/s41566-024-01496-x