最近有报道称，通过脉冲激光沉积(PLD)在云母基底上直接生长高度结晶的厘米级黑磷(BP)薄膜，引起了广泛的研究兴趣。然而，仍然缺少一种有效且通用的转移方法将它们整合到(光)电子器件中。

在这里，香港理工大学Jianhua Hao展示了一种湿转移法，利用乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)和乙二醇(EG)溶液将高结晶大面积PLD-BP薄膜转移到SiO₂/Si基底上。

文章要点

1）转移膜用于制造基于BP的底栅场效应晶体管(FET)阵列，该阵列表现出良好的均匀性和连续性，载流子迁移率和电流切换比与在云母基底上生长的BP膜中获得的相当。

工作提出了一种有前途的转移策略，用于将在基底上生长的2D BP可扩展地集成到具有更复杂结构的器件中，并进一步研究材料特性。

参考文献

Zhao, Y., Mao, J., Wu, Z. et al. A clean transfer approach to prepare centimetre-scale black phosphorus crystalline multilayers on silicon substrates for field-effect transistors. Nat Commun 15, 6795 (2024).

DOI：10.1038/s41467-024-51140-z

https://doi.org/10.1038/s41467-024-51140-z