在过去的十年里，由于二维（2D）过渡金属二硫化物（TMD）具有高载流子迁移率、显著的激子效应和强自旋轨道耦合等独特性质，其研究得到了迅速扩展。科学界和工业界的极大关注推动了TMD向实际应用的探索。超尺度晶体管、片上光子学、柔性光电子和高效电催化等领域在很大程度上取决于大面积TMD薄膜的可扩展生产。为此，北京大学刘开辉、中国人民大学刘灿综述研究了过渡金属二硫族化合物的大面积外延生长。

本文要点：

1) 作者系统概述了TMD大面积外延生长的基本设计策略和重大进展，首先勾勒出它们的基本结构和不同的性质。作者随后讨论了包括晶圆级生产设计、单晶外延策略以及结构修改和后处理技术在内的研究进展。

2) 此外，作者强调了应用驱动材料制造的未来方向和持续挑战，旨在激励人们在现代半导体行业的革命中不断探索。

参考文献：

Guodong Xue et.al Large-Area Epitaxial Growth of Transition Metal Dichalcogenides Chem. Rev. 2024

DOI: 10.1021/acs.chemrev.3c00851

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.chemrev.3c00851