新型二维半导体晶体具有超越其固有半导体属性的多种物理性质，这使得它们备受关注。然而，同时利用半导体特性和忆阻特性来生产忆阻晶体管仍极具挑战性。近日，延世大学Wooyoung Shim、Cheolmin Park、Aloysius Soon、韩国陶瓷工程技术研究所Jong-Young Kim报道了一类半导体III-V衍生的范德华晶体，尤其是HxA1-xBX表现出忆阻特性。
本文要点：
1) 作者进行了系统的高通量筛选，筛选出44个潜在的III-V化合物；在这些化合物中，作者成功合成了十种，包括氮化物、磷化物、砷化物和锑化物。这些材料表现出独特的特性，如电化学极化和忆阻现象，同时保持了它们的半导体属性。
2) 作者利用二维晶体半导体和忆阻特性之间的协同相互作用，展示了单栅极记忆晶体管中的门可调突触和逻辑功能。该方法指导了范德华材料的发现，这些材料具有非传统晶体对称性的独特性质。
Jihong Bae et.al Cation-eutaxy-enabled III–V-derived van der Waals crystals as memristive semiconductors Nature Materials 2024
DOI: 10.1038/s41563-024-01986-x
https://doi.org/10.1038/s41563-024-01986-x
