基于InAs胶体量子点的光电器件需要合成高度单分散的CQD。由于含砷的反应物三甲基甲硅烷基砷（(TMSi₃)As）、三甲基锗基砷（(TMGe₃)As）具有复杂性，人们进行了许多尝试发展新合成原料；但是目前，只有上述两种高反应性前体能够产生优异的光电探测器器件性能。

有鉴于此，多伦多大学Edward H. Sargent教授等从机制角度研究，发现助表面活性剂二辛胺（dioctylamine ）起到产生单分散InAs的关键作用。

本文要点

（1）

通过对InAs量子点的表面配体进行定量分析，我们发现(TMGe₃)As形成富集In的特性，而且发现表面存在无定形油酸铟的壳，我们发现这导致产生表面缺陷。因此，通过材料加工策略来去除表面壳层，从而在量子点中实现有效的电荷转移。

（2）

开发了表面修饰策略调节量子点的合成过程，不论合成原料的比例，都能够合成得到比较平衡的In/As化学计量比，能够制造940 nm激子量子效率（25-28%）EQE达到目前最好品质区间的近红外光电探测器。

参考文献

Hyeong Woo Ban, Maral Vafaie, Larissa Levina, Pan Xia, Muhammad Imran, Yanjiang Liu, Amin Morteza Najarian, and Edward H. Sargent*, Resurfacing of InAs Colloidal Quantum Dots Equalizes Photodetector Performance across Synthetic Routes, J. Am. Chem. Soc. 2024

DOI: 10.1021/jacs.4c06202

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.4c06202