在许多半导体中，电子和空穴波函数分别位于不同谷中的间谷激子决定了观察到的长距离输运和动力学。然而，这些具有消失振荡强度的激子无法直接与光耦合，因此仍然很少被研究。鉴于此，来自柏林自由大学的Kirill I. Bolotin及其团队开发了一种简单的纳米机械技术，通过其对机械应变的响应差异来控制谷的能量层次结构。研究人员利用该技术发现了WSe₂和WS₂中先前无法访问的与K、Γ或Q谷相关的间谷激子。

文章要点：

 (1) 该研究揭示了一种新颖的增亮机制，使得原本“暗态”的间谷激子通过应变控制的与内谷激子的杂化变得可见。

 (2) 研究团队分类了不同应变响应中的局域激子，并实现了其能量的大范围调节，最终确立了一种新的方法来识别间谷激子并控制其在多种二维系统中的相互作用。

参考资料：

Kumar, A.M., Yagodkin, D., Rosati, R. et al. Strain fingerprinting of exciton valley character in 2D semiconductors. Nat Commun 15, 7546 (2024).
10.1038/s41467-024-51195-y
https://doi.org/10.1038/s41467-024-51195-y