磁阻是一种基本的传输现象，对于读取各种信息存储、创新计算和传感器设备的磁状态至关重要。最近的研究将磁阻的范围扩展到非线性区域，例如与电场和磁场成比例的双线性磁电电阻（BMER）。近日，新加坡国立大学Hyunsoo Yang证明了BMER是一种普遍现象，即使在没有显式动量空间自旋纹理的三维系统中也会出现。

本文要点：

1) 理论表明，只要顶部和底部界面的自旋积累幅度不同，自旋霍尔效应就能实现BMER。BMER的符号遵循重金属自旋霍尔效应的符号，从而证明BMER起源于体自旋霍尔效应。

2) 研究表明，BMER在三维系统中是一种普遍的非线性输运特性，特别是在反铁磁自旋电子学中起着至关重要的作用。

参考文献：

Dong-Jun Kim et.al Spin Hall-induced bilinear magnetoelectric resistance Nature Materials 2024

DOI: 10.1038/s41563-024-02000-0

https://doi.org/10.1038/s41563-024-02000-0