虽然GaP作为一种III-V族化合物半导体，在光电行业中已经被广泛使用，但其固有的间接带隙特性限制了其效率。韩国科学技术院的Yeon Sik Jung、Donghun Kim和东国大学的Min-Jae Choi等人通过在ZnS纳米晶表面形成量子壳，实现了GaP从间接带隙到直接带隙的转变。

文章要点：

(1) 该研究通过反转型I类异质结的ZnS/GaP量子壳，使GaP实现了从间接带隙到直接带隙的转变，量子产率高达45.4%。
(2) 密度泛函理论计算表明，ZnS纳米晶在实现GaP量子壳直接带隙转变中起到了至关重要的作用。研究为通过能量结构调整来提高光电和光伏器件的效率提供了新的策略。

参考资料：

Shin, H., Hong, D., Cho, H. et al. Indirect-to-direct bandgap transition in GaP semiconductors through quantum shell formation on ZnS nanocrystals. Nat Commun 15, 8125 (2024).

10.1038/s41467-024-52535-8

https://doi.org/10.1038/s41467-024-52535-8