倒置钙钛矿太阳能电池（IPSC）在有缺陷的钙钛矿/C60界面上遭受了非辐射复合损失，限制了钙钛矿/硅叠层太阳能电池的效率和稳定性。尽管氧化硅（SiO_X）是硅工业中常见的钝化材料，其电子选择性高于传统的原子层沉积氧化铝，但其在IPC中的应用受到加工过程中损伤敏感钙钛矿的趋势限制。近日，中国科学院叶继春、杨茜、Ying Zhiqin开发了一种斜角蒸发方法来沉积共形的超薄SiO_X层，而不会损伤下面的钙钛矿。

本文要点：

1) 这种SiO_X中间层不但在配位Pb²⁺缺陷下进行化学钝化，而且形成n/n⁺同质结，提供有效的场效应钝化，同时减少复合并提高电子选择性。因此，将这一策略扩展到两端单片钙钛矿/隧道氧化物钝化接触硅叠层太阳能电池，实现了30.2%的稳定功率转换效率。

2) 此外，SiO_X坚固的无机性质使其能够实现致密的内部封装，增强光（ISOS-L-1）和热（ISOS-D-2I）器件的稳定性。

参考文献：

Xuchao Guo et.al Oblique-Angle Damage-Free Evaporation of Silicon Oxide Electron-Selective Passivation Contacts for Efficient and Stable Perovskite and Perovskite/TOPCon Tandem Solar Cells Adv. Energy Mater. 2024

DOI: 10.1002/aenm.202403021

https://doi.org/10.1002/aenm.202403021