2D过渡金属硫化物（TMD）正成为下一代半导体技术的关键材料，TMD材料具有可调控的能带结构，高载流子迁移率，突出的表面积/体相比例。在各种2D TMD材料中，MoS₂受到比较多的关注，但是如何能够实现层数可控的大批量合成晶圆级仍是个挑战。

有鉴于此，成均馆大学Han-Ki Kim等报道一种新颖的制备技术，独立等离子体软沉积(IPSD)-硫化，实现了批量制备层数精确控制的2D MoS₂。

本文要点：

（1）

这种IPSD体系将基于扫描的沉积于plasma表面预处理技术结合，实现大面积高品质2D MoS₂。通过多种多样的表征技术，包括Raman、UV-Vis、荧光光谱、TEM等，验证了在6英寸SiO₂/Si载体上构筑单层-四层2D MoS₂。

（2）

使用IPSD生长2D MoS₂构筑呼吸传感器（respiration sensor），对30 %~60 %的湿度实现快速响应（≈1 s）和高响应。这项研究为开发大规模合成2D MoS₂器件提供可能，为先进传感器件和电子学器件的应用提供新路径。

参考文献

Hye-Young Youn, Tae-Yang Choi, Junoh Shim, Se Young Park, Min-Ki Kwon, Sunkook Kim, Han-Ki Kim, Soft Sputtering of Large-Area 2D MoS₂ Layers Using Isolated Plasma Soft Deposition for Humidity Sensors, Adv. Mater. 2024

DOI: 10.1002/adma.202414800

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202414800