目前大多数调节材料物理化学性质的方法是通过化学键的打破/生成新化学键的方式，化学键打破/生成新化学键对局部结构造成不可避免的影响。二维铁磁材料是自旋忆阻器和量子器件的关键，单数目前大多数二维铁磁材料只能在低温下保持铁电性质，在室温或者更高温度下控制2D材料铁磁性能的方法还没有报道。

有鉴于此，华中科技大学常海欣教授、浙江理工大学宋昌盛副教授等报道非破坏性的vdW界面铁磁策略，实现了高于室温的铁磁调控。

本文要点：

（1）

通过非磁性vdW MoS₂, WSe₂, Bi_1.5Sb_0.5Te_1.7Se_1.3与2D vdW铁磁Fe₃GaTe₂之间vdW耦合，将Curie温度提高至400 K，是目前2D铁磁材料最好的。而且实现了室温垂直磁各向异性（perpendicular magnetic anisotropy）和340 K的非常规反常霍尔效应。

（2）

这种现象来自界面电荷转移和自旋-轨道耦合的磁交换相互作用和磁各向异性。这项工作为调控vdW层间磁化学和实现多功能2D异质结提供方法。

参考文献

Gaojie Zhang, Hao Wu, Li Yang, Zheng Chen, Wen Jin, Bichen Xiao, Wenfeng Zhang, Changsheng Song*, and Haixin Chang*, Above-Room-Temperature Ferromagnetism Regulation in Two-Dimensional Heterostructures by van der Waals Interfacial Magnetochemistry, J. Am. Chem. Soc. 2024

DOI: 10.1021/jacs.4c13391

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.4c13391