二维晶体作为一种质子导电材料受到关注,因为二维晶体的原子厚度能够阻碍原子、分子、离子,同时原子层厚度二维晶体允许质子的穿过。2D材料虽然具有优异的选择性,但是目前二维晶体材料有关报道的质子导电性都比较低。
有鉴于此,澳门大学孙鹏展、大连理工大学郝广平、曼彻斯特大学Marcelo Lozada-Hidalgo、Andre K. Geim等报道富含空穴位点的单层TiO2具有较高的质子渗透,同时阻碍He。
在200 ℃的质子导电性达到100 S cm-2,超过了工业制订标准的目标。对质子的快速选择性传输来自超高密度Ti原子缺陷(单位nm2的缺陷达到1个),而且单层TiO2能够筛选Å尺度的物质。
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这项研究展示了2D氧化物作为氢能技术膜材料的前景。
参考文献
Ji, Y., Hao, GP., Tan, YT. et al. High proton conductivity through angstrom-porous titania. Nat Commun 15, 10546 (2024).
DOI: 10.1038/s41467-024-54544-z