开发集成多种功能的先进光电器件至关重要，包括传感、存储和计算，这些功能被认为是半导体光电子学的前沿，可以满足新兴的功能多样化。近日，西北工业大学刘炜通过将n型Ga₂O₃与n型MoS₂薄片堆叠在一起，制造了一种整流比≈10⁵、开/关比≈10⁸的Ga₂O₃/MoS₂异质结构光电器件，实现了1.34×10⁹ Jones的高探测率和28.92 mA/W的高响应率。

本文要点：

1) Ga₂O₃/MoS₂异质结构器件显示出同时集成传感和记忆的潜在能力，可以用作人工神经形态突触。该装置表现出优异的光诱导突触功能，包括短期可塑性、长期可塑性和成对脉冲促进，实现了通过巴甫洛夫联想学习耦合光和电信号的能力。

2) 最后，该器件还通过协同调节光的开/关状态和栅极电压，展示了作为光电逻辑门AND的信息处理能力。该研究报道了一种用于开发与传感、存储和逻辑处理功能高度集成的下一代光电器件，在构建高效的人工神经形态视觉和逻辑系统方面具有巨大的应用前景。

参考文献：

Yao Zhang et.al Optoelectronic Neuromorphic Logic Memory Device Based on Ga₂O₃/MoS₂ Van der Waals Heterostructure with High Rectification and On/Off Ratios Adv. Functional Mater. 2024

DOI: 10.1002/adfm.202408978

https://doi.org/10.1002/adfm.202408978