界面工程对量子点（QD）太阳能电池极其重要，然而，与量子点表面和器件顶部界面相比，埋入界面受到的关注要少得多。在此，苏州大学马万里、袁建宇报道了一种利用循环钝化剂（CyP），即安赛蜜钾来调节氧化钛（TiO₂）/CsPbI₃ QD埋入界面的有效策略。

本文要点：

1) 各向同性CyP可以通过靶化学结合有效钝化TiO₂和CsPbI₃ QD表面的缺陷，从而促进界面电荷提取和传输。CyP工程的埋入界面为全无机CsPbI₃钙钛矿QD太阳能电池提供了17.50%的高功率转换效率（PCE）。

2) 此外，CyP工程翻新CsPbI₃ QD器件的PCE在退役器件的第四轮回收后仍保持在新器件的90%以上。这些发现揭示了埋入界面的重要性，这将推动基于量子点的光电器件性能和可持续发展。

参考文献：

Huifeng Li et.al Buried interface engineering enables efficient and refurbished CsPbI3 perovskite quantum dot solar cells EES 2024

DOI: 10.1039/D4EE04628E

https://doi.org/10.1039/D4EE04628E