近年来，金属卤化物钙钛矿基发光二极管（LED）因其高量子效率、良好的光谱可调性以及预期的低加工成本而受到广泛关注。当峰值发射波长超过900 nm时，由于该波长对生物医学成像、夜视和传感的重要性，人们对其的研究兴趣日益高涨。然而，在制造这些高性能近红外LED方面仍然存在许多挑战，特别是对于950 nm以上的波长，这受到低辐射和稳定性差的限制。近日，格罗宁根大学Maria Antonietta Loi报道了1.4%外部量子效率的卤化锡铅钙钛矿发光二极管。

本文要点：

1) 3-（氨基甲基）哌啶鎓（3-AMP）被用作卤化锡铅钙钛矿的本体添加剂，与纯膜（0.43µs）或用全氟芳香族单铵分子钝化的膜（0.41µs）相比，3-AMP钝化膜的载流子寿命明显更长，超过1µs。

2) 研究发现，优化的钙钛矿基锡铅卤化物LED在988 nm处显示出单个发射峰，并且其外部量子效率（EQE）约为1.4%。

参考文献：

Jiale Chen et.al 1.4% External Quantum Efficiency 988 nm Light Emitting Diode Based on Tin-Lead Halide Perovskite Adv. Mater. 2024

DOI: 10.1002/adma.202415958

https://doi.org/10.1002/adma.202415958