作为分子电子学的基石，高质量的纳米电介质层很难组装，因为它们在大面积上的可靠性和均匀性有最严格的标准。

在这里，南京大学Lei Zhang报道了一种应变聚（4乙烯基苯酚）单层，可以堆叠以形成无缺陷的晶圆级纳米电介质。

文章要点

1）纳米电介质的厚度可以精确调整为 1.2 nm厚 PVP 单层的整数倍。

2）通过采用双交联策略，在薄至 3.6 nm的低 k PVP 层上实现了出色的介电性能，在 2 MV/cm 时漏电流为 10⁻⁷ −10⁻⁸ A/cm²。此外，获得的纳米电介质层可以根据需求通过聚二甲基硅氧烷软印章层压到各种基板上，从而使其能够应用于底栅和顶栅配置的有机场效应晶体管。

这项工作代表了（光）电子分子材料的关键发展，并预示着在纳米电子领域探索功能纳米电介质的一条新兴途径。

参考文献

Wenbin Li, et al, Highly Strained Polymeric Monolayer Stacked for Wafer-Scale and Transferable Nanodielectrics, ACS Nano, 2025

DOI: 10.1021/acsnano.4c11958

https://doi.org/10.1021/acsnano.4c11958