插层修饰2D过渡金属硫化物（TMD）具有可设计的结构和新颖性质，因此受到人们的广泛关注。在这种插层2D TMD材料中，低对称性的1T′晶相TMDC具有不常见的性质，因此得到人们的广泛关注。但是这种结构对称材料体系通常的材料质量较差，稳定性较低，因此阻碍了人们研究其结构-性能关系以及应用。

有鉴于此，清华大学深圳国际研究生院刘碧录教授等报道将Cu插嵌1T′ MoS₂，具有高晶化度，且热稳定性达到~300 ℃。

本文要点：

（1）

这项研究首次鉴定Cu插层剂（intercalator）的分布和结构，结果表明Cu插层剂部分占据了Mo原子位点对齐的四面体间隙。生成的Cu-1T′ MoS₂展示了绝缘性的跳跃式运输行为，其电阻温度系数高达-4~-2 % K^-1。

（2）

这项研究拓展了人工插层结构的种类，推动了层状材料的结构设计和性质调控。

参考文献

Huiyu Nong, Junyang Tan, Yujie Sun, Rongjie Zhang, Yue Gu, Qiang Wei, Jingwei Wang, Yunhao Zhang, Qinke Wu, Xiaolong Zou, and Bilu Liu*, Cu Intercalation-Stabilized 1T′ MoS₂ with Electrical Insulating Behavior, J. Am. Chem. Soc. 2025

DOI: 10.1021/jacs.4c14945

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.4c14945