自旋轨道扭矩（SOT）磁存储技术因其能够实现具有强垂直磁各向异性（PMA）磁体的无场切换而受到广泛关注。然而，关于SOT磁存储功耗的担忧依然存在。近日，湖南大学段曦东、黎博提出了一种通过将化学气相沉积的二维（2D）Cr₃Te₄/WS₂范德华（vdW）异质结构转移到2D Fe₃GeTe₂（FGT）磁体上来构建磁性隧道结（MTJ）的方法。

本文要点：

1) 2D磁体的鲁棒性和可调性使MTJ表现出非挥发性、多种输出状态和优异的循环耐久性。具有薄WS₂（少于六层）的MTJ表现出线性隧穿效应，使用双层WS₂实现了15.5 kΩ·µm²的低电阻面积乘积（RA）。

2) 此外，不同的2D磁体显示出高达8kOe的反平行窗口。基于典型MTJ的SOT存储器表现出0.3 mJ的低写功耗和9.7 nJ的低读功耗，标志着2D vdW SOT存储器的重大进步。

参考文献：

Kun He et.al Two-Dimensional Cr₃Te₄/WS₂/Fe₃GeTe₂/WTe₂ Magnetic Memory with Field-Free Switching and Low Power Consumption Adv. Mater. 2025

DOI: 10.1002/adma.202419939

https://doi.org/10.1002/adma.202419939