由过渡金属二硫化物（TMD）和过渡金属氧化物（TMO）组成的异质结构对于广泛的应用至关重要，包括光催化和光电器件。这些材料之间的界面在控制带隙、载流子动力学和光催化活性方面起着重要作用。因此，必须对界面形成及其对这些参数的影响进行系统研究，以提高光催化剂和器件的效率。近日，CSIR矿物与材料技术研究所Ashutosh Rath报道了使用两步化学气相沉积法合成层状MoO₃-MoS₂异质结构。

本文要点：

1) 作者采用气相捕获技术合成α-MoO₃，然后硫化形成异质结构。作者利用XRD、拉曼光谱、HRTEM和XPS系统研究了MoO₃在界面上的界面结构和界面处MoS₂的演变。

2) 基于第一原理计算的密度泛函理论表明，MoO₃-MoS₂异质结构内的附加层MoOS会诱导II型能带排列，而不是III型排列。此外，该异质结构被用作光催化剂，与纯MoO₃相比，其光催化效率提高了三倍，在可见光下仅20分钟即可降解5ppm MB染料，速率常数为0.11408 min^-1，遵循II型交错异质结机制。

参考文献：

Sagar Mallick et.al Tuning and Understanding of Layered 2D MoS2–MoO3 Interface for Enhanced Photocatalytic Activities Adv. Functional Mater. 2025

DOI: 10.1002/adfm.202422645

https://doi.org/10.1002/adfm.202422645